Módulos termoeléctricos y su aplicación

Módulos termoeléctricos y su aplicación

Al elegir los elementos N y P de un semiconductor termoeléctrico, primero se deben determinar los siguientes aspectos:

1. Determinar el estado de funcionamiento de los elementos semiconductores termoeléctricos N y P. Según la dirección y la magnitud de la corriente de trabajo, se puede determinar el rendimiento de refrigeración, calentamiento y temperatura constante del reactor. Si bien el método de refrigeración es el más utilizado, no se debe ignorar su rendimiento de calentamiento y temperatura constante.

2. Determinar la temperatura real del extremo caliente durante el enfriamiento. Dado que los elementos termoeléctricos semiconductores N,P son dispositivos de diferencia de temperatura, para lograr el mejor efecto de enfriamiento, deben instalarse sobre un buen disipador de calor. Según las condiciones de disipación de calor (buenas o malas), se determina la temperatura real del extremo térmico de los elementos termoeléctricos semiconductores N,P durante el enfriamiento. Cabe señalar que, debido a la influencia del gradiente de temperatura, la temperatura real del extremo térmico de los elementos termoeléctricos semiconductores N,P siempre es superior a la temperatura de la superficie del disipador, generalmente por debajo de unas décimas de grado, por encima de unos pocos grados o por encima de diez grados. De manera similar, además del gradiente de disipación de calor en el extremo caliente, también existe un gradiente de temperatura entre el espacio enfriado y el extremo frío de los elementos termoeléctricos semiconductores N,P.

3. Determinar el entorno y la atmósfera de trabajo de los elementos semiconductores termoeléctricos N y P. Esto incluye si se trabajará en vacío o en atmósfera normal, nitrógeno seco, aire estático o en movimiento, y la temperatura ambiente, a partir de la cual se toman en cuenta las medidas de aislamiento térmico (adiabático) y se determina el efecto de la fuga de calor.

4. Determinar el objeto de trabajo de los elementos semiconductores termoeléctricos N y P y la magnitud de la carga térmica. Además de la influencia de la temperatura del extremo caliente, la temperatura mínima o la diferencia de temperatura máxima que puede alcanzar el conjunto se determina bajo las dos condiciones de vacío y adiabática. De hecho, los elementos semiconductores termoeléctricos N y P no pueden ser verdaderamente adiabáticos, sino que también deben tener una carga térmica; de lo contrario, carecen de sentido.

Determinar el número de elementos semiconductores termoeléctricos N,P. Esto se basa en la potencia de enfriamiento total de los elementos semiconductores termoeléctricos N,P para cumplir con los requisitos de diferencia de temperatura, debe asegurar que la suma de la capacidad de enfriamiento de los elementos semiconductores termoeléctricos a la temperatura de operación sea mayor que la potencia total de la carga térmica del objeto de trabajo, de lo contrario no se pueden cumplir los requisitos. La inercia térmica de los elementos termoeléctricos es muy pequeña, no más de un minuto en vacío, pero debido a la inercia de la carga (principalmente debido a la capacidad calorífica de la carga), la velocidad de trabajo real para alcanzar la temperatura establecida es mucho mayor que un minuto, llegando a ser varias horas. Si los requisitos de velocidad de trabajo son mayores, el número de pilas será mayor, la potencia total de la carga térmica se compone de la capacidad calorífica total más la fuga de calor (cuanto menor sea la temperatura, mayor será la fuga de calor).

TES3-2601T125

Imax: 1.0A,

Umax: 2,16 V,

Delta T: 118 °C

Qmax: 0,36 W

ACR: 1,4 ohmios

Tamaño: Base: 6 x 6 mm, parte superior: 2,5 x 2,5 mm, altura: 5,3 mm